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印度isc公司提供从5G到快速充电电动汽车的技术

IISc的研究人员表示,GaN组件是下一代无线和电力电子趋势不可或缺的一部分。这将影响未来10-15年更广泛的电子市场。

印度isc公司提供从5G到快速充电电动汽车的技术班加罗尔:Agnit是一家在印度科学研究所孵化的深度技术公司。印度),提供氮化镓(GaN)。半导体越来越多地被应用于各种产品的组件。GaN是一种新型半导体材料,在功率传输和转换方面具有优于硅的材料性能。

IISc的研究人员表示,GaN组件是下一代无线和电力电子趋势不可或缺的一部分。这将影响未来10-15年更广泛的电子市场。

从射频和电力电子电路等各种应用5G基站例如,下一代雷达和快速充电电动汽车(ev)的高效电源转换器,GaN有多种用途。

虽然有几家公司和研究机构使用GaN,但Agnitech公司声称,他们是第一家也是唯一一家生产GaN的公司。“我们是一家集成设备制造商,可以提供GaN晶圆和设备用于两种无线通信应用——如民用5克Agnitech首席执行官兼董事Hareesh Chandrasekar告诉《印度时报》,大型工业设施的连接,太空远程连接,农村连接和无人机,以及电力电子应用,如电动汽车和数据中心,电信电源。”Agnit在IISc研发了超过15年的GaN材料、工艺和器件,具有差异化的知识产权(知识产权),其创始团队在半导体价值链上有超过100年的经验-从材料到工艺,从器件到系统。

该公司目前推出了两种产品,GaN材料(晶圆)和GaN射频晶体管(器件),适用于5G基站无线电和防御需求。接下来,该公司计划推出GaN电源开关,这可能是除电动汽车外,用于手机和笔记本电脑快速充电的紧凑高效充电器的关键。该公司补充说:“更高的开关效率和更低的占地面积使GaN成为从消费电子产品到汽车到太阳能光伏逆变器等广泛功率转换应用的首选解决方案。”

Agnit是一家私人投资公司,从天使投资者那里筹集了150万美元,并从IISc筹集了孵化资金。“我们是投资30亿卢比的电子和信息技术部孵化的第一家初创公司(MeITY)资助的氮化镓试产设施,也是卡纳塔克邦政府为我们最先进的氮化镓半导体技术提供的ELEVATE 2021赠款的获奖者之一,”它补充道。

今年早些时候,印度联邦部长拉吉夫·钱德拉谢卡尔在参观了印度科学院的GaN设施后表示:“未来两到三年将为GaN在实现电动汽车和无线通信方面发挥关键作用提供一个机会窗口。”


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\"IIScBENGALURU: Agnit, a deeptech firm incubated at Indian Institute of Science (IISc<\/a>), is offering Gallium Nitride (GaN) semiconductor<\/a> components that are increasingly finding uses in a variety of products. GaN is a new semiconductor material with superior material properties compared to silicon for power transfer and conversion.

According to researchers from IISc, GaN components are indispensable for the next generation of wireless and power electronics trends. which will shape the broader electronics market over the next 10-15 years.

From radio-frequency and power electronic circuits in diverse applications such as
5G base stations<\/a>, next-generation radars and efficient power converters for fast-charging electric vehicles (EVs), GaN has multiple uses.