新德里:太空部
半导体实验室(SCL), Mohali和
印度理工学院(IITB)合作成功演示了基于CMOS 180nm的可生产8位内存技术,被顶尖科学家描述为“通过为该国实现安全内存和加密硬件来改变游戏规则”。
“重点关注包括集成电路或芯片在内的电子硬件,是主要加强太空和国防部门研发的关键。标准开发、产品设计或IP开发
半导体制造越来越重要。印度理工学院孟买分校和SCL之间的合作首次建立了这种存储技术,这表明了该国半导体研究的巨大潜力。”政府首席科学顾问K. VijayRaghavan教授说。
为了成功演示基于CMOS 180nm的可生产8位内存技术,印度理工学院孟买分校发明了基于超薄沉积二氧化硅(几个原子厚)的一次性可编程(OTP)内存,而不是现有的基于栅氧化物的OTP技术。
科学顾问办公室的一份新闻稿称:“与栅氧化击穿(一种流行的OTP存储器)所需的高电压相比,印度理工学院孟买分校的存储芯片需要更少的功率和芯片面积,因为它避免了对升压供应的需求。”
他说:“内存技术对数据安全至关重要,对现在和未来都至关重要
印度的晶圆厂NITI Aayog成员V.K. Saraswat博士说:“为了注入创新,将内存技术从研究转化为制造是在全球竞争和服务于本地以建立充满活力的半导体生态系统的关键。IIT孟买- scl昌迪加尔联合团队的OTP内存技术用于修整应用是这一方向的开创性一步。它将改变游戏规则,为该国提供安全内存和加密硬件。”
对于不熟悉的人来说,模拟(在自然世界中)输出通过数字转换器芯片或模拟数字转换器转换成计算机语言(数字)。
代工厂大量生产这些芯片。理想情况下,这些芯片应该是相同的,但制造变化会产生微小的偏移,这些偏移在测试中显示出来。这使得很大一部分芯片毫无用处。
“微小的偏移量可以存储在内存一次,然后应用到输出,使每个不完美的芯片‘完美’!”使用这种方法,现在可以设计通用芯片,并添加特定于应用的偏移量,使昂贵的定制芯片设计变得多余,为用户节省时间和金钱,”新闻稿解释了新合作的重要性。
随着印度和全球对半导体的需求增加,芯片技术差距成为印度研究人员调查的重点。政府认识到研发在创新驱动的半导体制造中的重要性,并通过建立纳米电子学卓越中心(CENs)提高研发能力;第一批是在印度理工学院孟买分校
印度科学研究所(印度)。这导致了半导体研究生态系统的转变,使该国成为电子器件相关研究的主要贡献者。
下一个挑战是将研究转化为制造。印度的半导体制造生态系统由SCL, Mohali领导,是该国最先进的半导体制造工厂(用于生产存储芯片的洁净室环境的大型设施)。
印度理工学院孟买分校的团队得到了印度科学院的支持
科学技术系加强高优先领域的研究(IRHPA)。这项工作由MeitY/DST的纳米电子研究与应用网络(NNetRA)资助,支持内存应用、DST先进制造技术和PSA办公室的硬件安全。印度理工学院孟买分校的团队与印度理工学院德里分校、SETS金奈分校和DRDO合作进行硬件加密。
“每100个创意中就有一个能从实验室进入工厂。超过95%产量的严格过程,需要一个坚持不懈的多学科团队,在世界级研发基础设施的支持下,形成持久的合作。一旦成功,这种技术就有可能影响无数人的生命,在这种情况下,通过具有微小内存的芯片,”印度理工学院孟买分校的团队负责人Udayan Ganguly教授说。